【摘要】：制备了CdTe+ZnS介质膜,将其应用于光伏探测器中,对器件的性能进行了测试,并通过理论计算,分析了器件的暗电流机构,得到一些相关的材料和器件性能参数。
【作者单位】：中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心
【关键词】：HgCdTe光伏探测器 双层钝化 暗电流
【分类号】：TN36
【正文快照】：
【关键词】：HgCdTe光伏探测器 双层钝化 暗电流
【分类号】：TN36
【正文快照】：
引言HgCdTe(MCT)光伏探测器对表面状态非常敏感,器件性能常常受到表面漏电的限制,在低温下尤其如此,已成为制约光伏探测器性能的瓶颈之一。在常规工艺中,常常通过溅射、蒸发ZnS、CdTe等钝化介质降低界面态,由于ZnS钝化的器件具有很好的绝缘性而得到了广泛应用,但在最近的研究
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