3.1、多晶硅组件
1）效率19.4%时满分；
2）组件正面效率18.0%时，增益5%及以下均无法获得满分；
3）组件正面效率18.3%时，增益5%及以下均无法获得满分；
4）组件正面效率18.6%时，增益5%，双面比90%可获得满分；
5）组件正面效率18.9%时，增益3%，双面比90%可获得满分；增益5%，双面比70%亦可获得满分。
3.2、单晶硅组件
1）效率20.4%时满分；
2）组件正面效率18.9%时，增益5%及以下均无法获得满分；
3）组件正面效率19.5%时，增益5%及以下均无法获得满分；
4）组件正面效率19.8%时，增益5%，双面比70%-90%均可获得满分；
5）组件正面效率20.1%时，增益3%，双面比70%-90%均可获得满分。
4结论
1）对于双面组件功率增益不应全部按照正面功率计算，应当考虑“双面比”，建议按照背面功率的5%界定；
2）应用基地，正面效率必须在第2档，增益界定在5%，双面组件可获得满分；如果界定在3%增益，则正面效率必须在第3档。应用基地的电价因素占比高，应当鼓励性价比高的双面组件，因此增益界定在5%是比较合适的。
3）对于技术基地，正面效率必须在第3档，按照5%增益，双面组件才有可能拿到满分，鼓励了采用高效组件，不违反技术基地的初衷，所以，对于双面组件5%增益界定对于技术基地也是合适的。
4）增益界定如果超过5%，则双面组件可以轻易拿到满分，不利于推动技术进步；而增益界定过低，比如3%，正面效率要求在第4档以上才有机会获得满分，而双面组件的正面效率明显低于单面组件，双面组件根本就没有机会进入。
（作者系国家发改委能源研究所原研究员 ）
