CH和DISCH在正常工作时置为低电平，此时M1和M2均导通。当出现放电过流或者过放电状态，DISCH 置为高电平，此时Q2断开，Q3导通，将M2栅极电容的电荷迅速放电，使M2能瞬间关闭，完成保护。当出现充电过流或者过充电状态，将CH置为高电平，关闭M1。电路中MOSFET选用了IRF4310，该MOSFET导通电阻仅为7kΩ，通流能力可达140A。
2.2 均衡电路和二级保护
图3（a）给出了某组电芯充电均衡电路的示意图，充电均衡电路由4个该种单元串联而成。由单片机采集ADV端电压，可得到该组电芯电压。充电过程中若电压超过4.2V，单片机控制脚BLA置为高电平，此时该组电芯被短路，充电电流流经R4给其他组电芯充电，由此保证各组电芯电量在充电完成后具有较好的一致性。 二级保护是不可逆的，只有在非常危急的情况下才会启动，电路如图3（b）所示。BQ29411是一款静态电流仅2μA的二级保护芯片。任意一组电芯电压超过4.4V，OUT将输出高电平，三端保险丝F3开始加热，当温度超过139℃时保险丝就会熔 断。
