No．3 Alta Devices双结太阳能电池效率创纪录达31．6％
Alta Devices宣布其砷化镓太阳能光伏刷新世界纪录，该公司生产出效率高达31．6％的双结电池，此项最新技术获得美国能源部国家可再生能源实验室（NREL）认证。
2013年Alta单结太阳能电池效率纪录达30．8％，此后不久，该纪录被NREL赶超，然而Alta重新再次刷新世界纪录。
Alta Devices通过多项突破性技术来使用砷化镓制造太阳能电池片，在单结太阳能技术领域实现了世界最高能效。此次，阿尔塔推出的全新双结技术建于之前的单结技术基础之上，使用了磷化铟镓作为基底之上的第二个吸收层。相比单结设备，磷化铟镓利用高能光子的效率更高，所以在等量太阳光下，新的双结技术产生的电量更多。该公司的太阳能效率已经获得能源部的国家可再生能源实验室（NREL）测量和认证。
Alta现在保持单结双结砷化镓薄膜太阳能电池技术世界纪录。但是还面临将此实验室研究技术创新投入到批量生产的挑战。
编辑点评2015年，中国的汉能薄膜将美国Alta Devices公司收为旗下，当时Alta Devices掌握的砷化镓（GaAs）柔性薄膜电池技术是世界最领先的薄膜太阳能电池技术，其双结电池片的发电效率已达30．8％。而经过一年的技术资源整合，Alta Devices的电池技术再次爆发，将双结电池片的发电效率提高到31．6％。而更让人兴奋的是，Alta Devices的单结砷化镓薄膜太阳能电池已经开始量产。可以预见的是，随着技术的进步及成本的降低，薄膜光伏将逐步崛起。
NO．4 多接合硅晶太阳能电池效率突破30％！
德国Fraunhofer太阳能系统研究所（ISE）与奥地利公司EV Group（EVG）合作，成功以硅晶太阳能电池为基础，加上拥有两个电极的多接合太阳能电池技术，让太阳能电池的转换效率一举冲高到30．2％。
具体来说，Fraunhofer ISE和EVG的研究员透过直接外延片接合（direct wafer bounding）工艺将微米级的三五族半导体材料转换为硅材；经电浆活化后，外延片表面的次电池（subcell）将呈现真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密接合，形成以硅材为基础的次电池。
而透过堆叠磷化铟镓（GaInP）、砷化镓（GaAs）、硅（Si）等三种次电池所构成的多接合电池，能吸收更广光谱的太阳光，转换效率也能大幅提升。Fraunhofer ISE和EVG成功使4平方公分面积的三五族半导体／硅材多接合电池之转换效率提高到30．2％，突破了硅晶太阳能电池的理论效率天花板29．4％，并由Fraunhofer实验室检证完成。
编辑点评在目前已大规模商业化的硅晶太阳能电池转换效率很难超过23％的情况下。该项技术突破了硅晶太阳能电池的理论效率值，让业内人士对未来的高效太阳能光伏电池生出无限憧憬。目前，虽然这类三五族半导体／硅材多接合电池的成本仍然高昂，但是三五族半导体磊晶工程和接合技术等都有成本降低空间。所以，这项技术未来仍然有很大的提升空间，届时，突破效率天花板的高效硅晶太阳能电池将会有量产的那一天。
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