光学带隙与光吸收有着直接关系，根据样品的吸光度光谱，利用Tauc方程外推法计算了5种成分薄膜的禁带宽度。根据半导体理论[4]，钙钛矿薄膜为直接带隙半导体，因此有(1)、(2)式中，是光吸收系数，A是吸光度，d是薄膜厚度，是普朗克常数，4.13566743×10-15eV·s，c是光速，2.99792458×108m/s，是以纳米为单位时波长的数值，是频率。根据式(1)、式(2)，以为横坐标，为纵坐标，做出的关系曲线。该曲线的切线与横坐标的交点即为薄膜的禁带宽度[5]。
图4是不同成分的钙钛矿薄膜的的关系曲线。由图4(a)可见，CH3NH3SnI3成分的薄膜禁带宽度最小，为1.44eV。掺杂部分Br-与Cl-后，如图4(b)、(c)所示，CH3NH3SnI2Br和CH3NH3SnI2Cl钙钛矿薄膜的禁带宽度增大，分别为1.75eV和1.68eV，这是由于Br-与Cl-的引入导致钙钛矿结构的晶格变小，并且电离度增加，从而导致带隙变宽。而当Br-与Cl-的掺杂量增多，如图4(d)、(e)所示，CH3NH3SnIBr2和CH3NH3SnICl2钙钛矿薄膜的禁带宽度进一步增大，分别为2.08eV和2.88eV图4 不同成分的钙钛矿薄膜的的关系曲线图
图5是不同成分钙钛矿薄膜的紫外可见光吸收率曲线。由图5可知，与CH3NH3SnI3成分的钙钛矿薄膜相比，掺杂Br-与Cl-均减弱了钙钛矿薄膜的吸收率，同时随着掺杂量的增加，其在可见光范围内的吸收率大幅度降低。与图4(e)相对应，CH3NH3SnICl2钙钛矿薄膜的禁带宽度最大为2.88eV，这也就导致了其在可见光范围内吸收很少。
图4 不同成分的钙钛矿薄膜的的关系曲线
图5 不同成分钙钛矿薄膜的紫外可见光吸收率曲线图
3 结论
CH3NH3SnI3成分的钙钛矿薄膜具有最低的禁带宽度增加，降低其在可见光范围内的吸光性能，过多的Br-、Cl-会导致钙钛矿薄膜结晶性能降低。
