若单晶硅片价格跌落，P型单晶组件的性价比将更加明显，多晶为主之厂商为维持竞争力，导入金刚线切多晶硅片变为势在必行的选项，但与之搭配的黑硅技术情形仍显复杂。不仅干法、湿法、添加剂直接蚀刻等技术路线未定，硅片厂、电池厂仍在权衡由哪一方进行黑硅技术的导入，黑硅电池也仍需解决效率的稳定性以及外观问题。由此看来，同时拥有硅片、电池片、组件的垂直一体化厂商可能在第三季领先力推黑硅组件，为黑硅产品的推动领航。预期明年黑硅产品将明显放量，让多晶电池片能接受金刚线切的多晶硅片，整体多晶组件成本能下降US$ 0.015 / W左右，以抗衡单晶市占的高度成长。
由于设备商产能有限，近年PERC技术的导入仍以单晶为主。面对金钢线切的降本议题来势汹汹，预期拥有单晶产能的产商将加快PERC技术的导入以及效率的推进。不仅今年底单晶PERC主流产品将站上300W大关，整年PERC产能的扩充也可能高于先前预期，达到12~15GW区间，PERC的规模经济将逐渐显现。届时，一般单晶280W与单晶PERC 295~300W组件价差将持续缩小，PERC 300W组件与N型PERT组件、异质结 (Hetrojuction)组件瓦数输出的差距也缩小到10%以内，成本却远低于N型技术。
单晶PERC组件的增量与降价将大大冲击一般单晶以及N型的市场。也将有越来越多厂商考虑2~3年内全单晶产线都搭配PERC技术的选项。综合以上，PERC技术的扩充、金刚线切多晶硅片搭配黑硅技术都是今年不可不为的浪潮，未能跟上的企业将难以渡过每年显著杀价的淡季，在市场洗牌时期面临危机。
