在此电路布置中，增强型 N 沟道 MOSFET 用于将简单的灯“打开”和“关闭”（也可以是 LED）。
栅极输入电压V GS被带到适当的正电压电平以打开设备，因此灯负载“打开”，（V GS = + ve）或处于零电压电平，将设备“关闭”，（VGS = 0V）。如果要用线圈、螺线管或继电器等电感负载代替灯的电阻负载，则需要与负载并联一个“续流二极管”，以保护 MOSFET 免受任何自生反电动势的影响。
上面显示了一个非常简单的电路，用于切换电阻负载，例如灯或 LED。但是，当使用功率 MOSFET 来切换电感或电容负载时，需要某种形式的保护来防止 MOSFET 器件损坏。驱动电感负载与驱动电容负载具有相反的效果。
例如，没有电荷的电容器是短路，会导致高“浪涌”电流，当我们从感性负载上移除电压时，随着磁场崩溃，我们会产生很大的反向电压，从而导致在电感器的绕组中感应反电动势。
请注意，与 N 沟道 MOSFET 的栅极端子必须比源极更正（吸引电子）以允许电流流过沟道不同，通过 P 沟道 MOSFET 的传导是由于空穴的流动。也就是说，P 沟道 MOSFET 的栅极端子必须比源极更负，并且只会停止导通（截止），直到栅极比源极更正。 因此，对于作为模拟开关器件运行的增强型功率 MOSFET，它需要在其“截止区域”（其中V GS = 0V（或V GS = -ve））和其“饱和区域”（其中：VGS (on) = +ve。 MOSFET 中消耗的功率 ( P D ) 取决于饱和时流过通道的电流I D以及以R DS(on)给出的通道的“导通电阻” 。例如。
