HJT电池也叫HIT电池，俗称异质结电池，全称为晶体硅异质结太阳电池，是一种采用HIT结构的硅太阳能电池，该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜。综合了晶体硅电池与薄膜电池的核心竞争力，能提高光电转换效率，是高转换效率硅基太阳能电池的热门朝向中的一种。
一、异质结HIT电池的优点
1、应用范围广泛大量利用在太阳能板、城市公共交通、通讯设备、电力安装工程、国防科技或是在远洋航行、国内航空不同经济领域，HIT电池都具有了不能缺失的重要作用。
2、效率提升潜力高HIT电池采用的N型硅片具有较高的少子寿命，非晶硅钝化处理的对应结构同样也可以取得较低的表面复合型速率，以至于硅异质结太阳能电池的开路电压远高于传统式单晶硅太阳能电池，其效率潜力比当前利用P型硅片的PERC电池大至更是高达2％
3、成本费用低、生产工艺简单不复杂HIT电池融合了薄膜太阳能电池超低温的生产制造优点，规避了传统式的高温工艺。HIT工艺流程相比简单化，所有生产工艺流程只需四个部分就可以实现
4、高稳定性，高效率HIT电池的光照稳定性好，异质结中的非晶硅薄膜并没有发现Staebler－Wronski效应，也就代表着电池转换效率不会因光照而出现衰退的迹象。
5、正反两面电池HIT电池是非常好的正反两面电池，正面和背面基本上无色调差距，且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到九十％以上，极高可以达到九十八％，背面发电的核心竞争力明显。
二、异质结HIT电池的缺点
1、设备投资高，由于采用了薄膜沉积技术，需要用到高要求的真空设备;
2、工艺要求严格，获得低界面态的非晶硅/晶体硅界面，对工艺环境和操作要求也比较高;
3、透明导电薄膜一般为氧化铟掺杂金属氧化物成本偏高，低温银浆电阻率偏高导致银浆单耗居高不下;
4、需要低温组件封装工艺，由于HJT电池的低温工艺特性，不能采用传统晶体硅电池后续高温封装工艺，需要开发适合的低温封装工艺。
