1范围
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。
本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 14264半导体材料术语
GB/T 24581低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定方法
GB/T 29057用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
3术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4方法原理
利用载流子浓度与温度变化关系的电中性方程，对n(P)-T-1关系曲线进行计算机拟合分析，从而得到补偿度。电中性方程（以N型样品为例）如式（1）所示：
5干扰因素
5.1测试温度的准确性直接影响测量结果的准确性。
5.2电极应具有良好的欧姆接触，以确保测量的准确性。
5.3对于多晶硅样品，区熔拉晶过程和取样位置会对多晶硅的评价造成影响。
6环境条件
6.1温度为15℃-28℃。
6.2相对湿度应不大于65％。
6.3测试屏蔽室应无机械冲突，避免震动，无电磁干扰合格大功率用电设备。
7仪器设备
7.1霍尔测试系统
7.1.1恒流源
为样品提供电流，其电流稳定度应优于±0.5％。
7.1.2电压表
测量样品电压，准确度应优于±0.5％，电压表的输入阻抗应为被测样品阻抗的10000倍以上。
7.1.3磁体
磁通密度应在0.2T-1.0T范围内，在样品所处范围内，磁通密度均匀性应优于±1％。
7.1.4开关矩阵
用于改变样品中电流流量通方向和测量相对电极的电压，开关矩阵应具有良好的绝缘性和可靠性。
7.2样品室
7.2.1样品室由低温装置、测温装置、样品架组成。样品室应由非磁性材料组成，温度可调且能够保证样品温度具备一定的稳定性。加热装置如为电阻丝加热则应注意电阻丝的绕制及摆放，避免电阻丝在通电过程中产生垂直于样品表面的磁场。
7.2.3低温装置的温度范围为10K-400K，控温精度应优于±0.05K。测温装置的温度传感元件应尽量靠近被测样品，以保证测量温度与样品温度的一致性。
8试样制备
8.1单晶测量试样
按GB/T 4326对单晶硅测量试样进行加工处理，超声清洗后晾干，待用。
8.2多晶测量试样
按GB/T 29057将多晶硅棒样品制备成单晶硅，并按照上述标准规定的位置取样，切割成厚度为1mm的圆片，按范德保样片的要求将圆片制备成测量试样，超声清洗后晾干，待用。
8.3欧姆电极的制备
利用蒸发、溅射等技术制备测量试样的电极，在不影响电极引线正常引出的情况下，电极的尺寸应尽可能小（最好点接触）、靠近边缘，并尽可能在样品对称的位置上制备电极（确保电极与样品欧姆接触）。
9测试步骤
9.1强待测样品防止在样品架上，密封置于次体检的致冷系统中，应于磁极中央，磁场应垂直样品表面。
9.2开启真空泵，当真空度达到0.1Pa时，开启低温系统。
9.3根据样品要求选定起始温度，并进行温度控制，待温度稳定后加磁场进行霍尔系数测量。
9.4设定下一个温度点，待温度稳定后，重复9.3步骤，直到测定完全温区，得到n-T-1关系曲线。
9.5为了减小误差，变温测量在低温区取点要密，n-T-1关系曲线要求呈现明显的去离化过程（以曲线光滑，不出现扭曲为好）。
10数据处理
10.1将不同温度下所获得的测量数据，根据式（6）进行计算，并取γ因子等于1进行修正。
11精密度
12报告
报告至少应包含以下内容：
a)送样单位和送样日期；
b)样品名称、规格和编号；
c)仪器型号；
d)测量环境；
e)测量结果，包括补偿度和关系曲线；
f)操作者、测量日期、测量单位。
