万博士表示，一直以来，多晶产品凭借性价比优势长期占据市场主流。这一优势主要来自于铸锭尺寸的增加，以及晶体结构的改善。数据显示，在铸锭炉由G5升级为G6的过程中，产品良率、单位产出及能耗都有所改善，最终使平均成本降低约17%。与此同时，多晶在优化晶体结构方面取得了长足进步，推动转换效率提升了1%以上。如今，多晶与单晶在晶体缺陷方面的效率差异已大幅降低到0.2%左右，已十分接近单晶的水平。
而在表面反射率方面，多晶与单晶仍有0.5%左右的效率差异，这将成为未来多晶技术提升转换效率的主攻方向。万博士进一步指出，黑硅技术由于能显著改善多晶硅片的表面结构，并可以借助金刚线切片技术显著降低加工成本，而成为未来高效多晶技术的理想解决方案。其中干法（RIE）黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%，湿法（MCCE）黑硅可促进电池效率提高0.2%-0.4%。
万博士引用数据指出，近年来单晶技术的多项进步使得成本大为降低，对以性价比优势主导市场的多晶产品构成了压力，多晶技术急需取得新的突破。除了黑硅技术和金刚线切片工艺，多晶技术还可以继续加大铸锭尺寸和硅片尺寸，并研究PERC电池技术的应用。如今，已有企业应用了多晶黑硅片和PERC技术，量产后可以达到20.5%的转换效率，说明这一技术具备很大的应用前景。在铸锭炉升级方面，G6升级为G7后还将降低12%的成本，进一步提高多晶硅片的成本优势。
总体而言，多晶产品的性价比优势是其在市场中占据主导地位的关键，万博士强调，随着技术的更新换代，多晶硅片在转换效率和成本方面仍有较大的进步空间。可以预见，未来五年，多晶硅片还将占据市场的主导地位。
