【学位授予单位】：兰州大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2016
【分类号】：TB383.2;TM914.4
【目录】：
- 摘要3-4
- Abstract4-8
- 第一章 绪论8-21
- 1.1 研究背景及意义8-9
- 1.2 太阳能电池9-11
- 1.2.1 太阳光谱9-11
- 1.2.2 太阳能电池的工作原理11
- 1.3 太阳能电池的分类11-15
- 1.3.1 硅太阳能电池12-13
- 1.3.2 化合物半导体太阳能电池13-14
- 1.3.3 有机聚合物太阳电池14
- 1.3.4 染料敏化太阳能电池14-15
- 1.4 钙钛矿太阳能电池的发展历程及存在的问题15-20
- 1.4.1 敏化钙钛矿太阳能电池15-16
- 1.4.2 敏化钙钛矿太阳能电池中的支撑层材料16-17
- 1.4.3 平面异质节结构的钙钛矿太阳能电池17
- 1.4.4 反型结构的钙钛矿太阳能电池17-18
- 1.4.5 钙钛矿中载流子的传输特性18
- 1.4.6 钙钛矿太阳能电池的稳定性18-19
- 1.4.7 钙钛矿太阳能电池的迟滞效应19-20
- 1.5 本文主要的研究内容20-21
- 第二章 有机金属卤化物钙钛矿CH_3NH_3PbI_3薄膜的制备21-32
- 2.1 钙钛矿材料21-24
- 2.2 一步法旋涂制备MAPbI_3薄膜24-28
- 2.2.1 碘化甲铵的制备24
- 2.2.2 TiO_2致密层的制备24-25
- 2.2.3 MAPbI_3薄膜的制备25-28
- 2.3 两步法旋涂制备MAPbI_3薄膜28-31
- 2.4 本章小结31-32
- 第三章 CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜的制备32-42
- 3.1 CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜中Cl的作用32-33
- 3.2 实验过程33
- 3.3 前驱体溶液浓度的影响33-35
- 3.4 衬底对形貌的影响35-39
- 3.4.1 TiO_2和PEDOT:PSS的修饰作用36-37
- 3.4.2 TiO_2厚度的影响37-39
- 3.5 退火温度及时间的影响39-41
- 3.6 本章小结41-42
- 第四章 CVD方法生长GaN纳米线阵列42-54
- 4.1 GaN材料的发展历程42-43
- 4.2 GaN材料的特性43-44
- 4.2.1 物理性质43-44
- 4.2.2 化学性质44
- 4.2.3 电学性质44
- 4.3 GaN纳米线的研究现状44-46
- 4.3.1 化学气相沉积44-45
- 4.3.2 激光烧蚀法45
- 4.3.3 有机金属化学气相沉积45-46
- 4.4 CVD合成GaN纳米线46-52
- 4.4.1 CVD实验设备46
- 4.4.2 实验过程46-47
- 4.4.3 催化剂的选择47-50
- 4.4.4 特殊形貌的GaN纳米线50-51
- 4.4.5 GaN纳米线阵列的制备51-52
- 4.5 本章小结52-54
- 第五章 全文总结54-56
- 参考文献56-61
- 致谢61
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