【学位授予单位】：湖南大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2013
【分类号】：TM914.4
【目录】：
- 摘要5-6
- Abstract6-8
- 目录8-11
- 第1章 绪论11-23
- 1.1 研究背景11-13
- 1.1.1 光伏发电及应用11-13
- 1.1.2 太阳能电池的发展历史13
- 1.2 光伏市场发展13-16
- 1.2.1 光伏市场的发展历程13-15
- 1.2.2 光伏产业发展趋势15-16
- 1.3 光伏制造技术进展16-19
- 1.3.1 金刚石线切割技术17-18
- 1.3.2 流化床法多晶硅制备技术18
- 1.3.3 低成本金属浆料与金属化技术18-19
- 1.4 高效电池技术进展19-23
- 1.4.1 LFC-PERC 电池19-20
- 1.4.2 全背接触电池20-21
- 1.4.3 纳米硅墨水电池21-22
- 1.4.4 正面结 N 型电池22-23
- 第2章 晶硅太阳能电池原理及生产工艺23-35
- 2.1 晶体硅太阳能电池原理23-25
- 2.1.1 太阳能电池的结构23
- 2.1.2 太阳能电池原理23-25
- 2.2 晶体硅太阳能电池生产工艺25-35
- 2.2.1 硅片检测25-26
- 2.2.2 清洗制绒26-28
- 2.2.3 扩散制结28-29
- 2.2.4 刻蚀29-30
- 2.2.5 去 PSG30-31
- 2.2.6 PECVD 镀减反射膜31-32
- 2.2.7 丝网印刷电极32-33
- 2.2.8 快速烧结33
- 2.2.9 测试分选33-35
- 第3章 晶硅太阳能电池表面复合及钝化35-45
- 3.1 晶体硅太阳能电池薄片化35-36
- 3.2 少数载流子的复合行为36-40
- 3.2.1 少数载流子的产生36-37
- 3.2.2 少数载流子的复合37-40
- 3.3 晶体硅太阳能电池表面钝化40-43
- 3.3.0 化学溶液法40
- 3.3.1 Al 扩散背表面场 BSF40-41
- 3.3.2 热氧化法生长 SiO2膜41-42
- 3.3.3 PECVD 法制备 SiNx42
- 3.3.4 本征氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜42-43
- 3.3.5 钝化机理总结43
- 3.4 研究方向43-45
- 第4章 原子层沉积 Al_2O_3钝化晶体硅工艺研究45-60
- 4.1 Al_2O_3钝化技术45-47
- 4.1.1 Al_2O_3材料特性45
- 4.1.2 Al_2O_3材料的应用45-46
- 4.1.3 Al_2O_3薄膜的制备46-47
- 4.2 原子层沉积技术简介47-49
- 4.2.1 基本原理47-48
- 4.2.2 设备改进48-49
- 4.3 实验49-51
- 4.3.1 试验样品49
- 4.3.2 实验原理及步骤49-51
- 4.4 样品测试51-52
- 4.4.1 少子寿命51
- 4.4.2 X 射线电子能谱分析51-52
- 4.5 ALD 氧化铝钝化 n 型晶体硅表面52-55
- 4.5.1 工艺方案52
- 4.5.2 Al_2O_3膜厚影响分析52-53
- 4.5.3 退火温度对钝化的影响53-55
- 4.6.4 退火时间对钝化的影响55
- 4.6 ALD 氧化铝钝化 p 型晶体硅表面55-58
- 4.6.1 工艺方案55-56
- 4.6.2 退火温度优化56-57
- 4.6.3 结果分析讨论57-58
- 4.7 X 射线电子能谱分析58-59
- 4.8 本章小结59-60
- 第5章 ALD 沉积 Al_2O_3钝化减反双重作用60-64
- 5.1 实验60-61
- 5.1.1 样品表面处理60-61
- 5.2 反射率测试61
- 5.3 结果分析与讨论61-62
- 5.4 本章小结62-64
- 结论与展望64-66
- 参考文献66-73
- 致谢73-74
- 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录74
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