【学位授予单位】：沈阳大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2013
【分类号】：TM914.4
【目录】：
- 论文摘要5-6
- Abstract6-11
- 1. 绪论11-23
- 1.0 引言11
- 1.1 碱性刻蚀11-14
- 1.1.1 机理11-13
- 1.1.2 溶液13-14
- 1.3 酸性刻蚀14-15
- 1.3.1 机理14
- 1.3.2 溶液14-15
- 1.4 贵金属粒子辅助刻蚀15-17
- 1.4.1 一步刻蚀法15-16
- 1.4.2 两步刻蚀法16-17
- 1.5 碱性刻蚀与贵金属粒子辅助刻蚀结合法17-19
- 1.6 贵金属辅助刻蚀与掩膜法结合法19-21
- 1.6.1 纳米球模板19-20
- 1.6.2 AAO 模板20-21
- 1.7 课题的研究目的及意义21-23
- 1.7.1 实验内容22
- 1.7.2 实验目的与意义22-23
- 2. 实验方法23-29
- 2.1 硅片预处理23
- 2.2 沉积银粒子工艺23-25
- 2.2.1 化学镀银23
- 2.2.2 磁控溅射镀银23-25
- 2.3 沉积硅薄膜工艺25
- 2.4 化学刻蚀工艺25
- 2.5 形貌表征方法25-26
- 2.5.1 扫描电子显微镜25-26
- 2.5.2 原子力显微镜26
- 2.6 反射率的表征方法26-29
- 3 化学镀银粒子辅助刻蚀29-47
- 3.1 引言29
- 3.2 AgNO_3浓度对银粒子形貌的影响29-32
- 3.3 银粒子密度对刻蚀形貌的影响32-35
- 3.4 刻蚀液浓度对形貌的影响35-44
- 3.4.1 H_2O_2浓度对形貌的影响35-40
- 3.4.2 HF 浓度对形貌的影响40-43
- 3.4.3 ρ值的影响43-44
- 3.5 本章小结44-47
- 4 磁控溅射镀银辅助刻蚀47-55
- 4.1 引言47
- 4.2 磁控溅射镀银47-48
- 4.3 银粒子厚度对刻蚀形貌的影响48-51
- 4.4 刻蚀时间对刻蚀形貌的影响51-53
- 4.5 磁控溅射镀银辅助刻蚀硅反射率53-54
- 4.6 本章小结54-55
- 5 硅薄膜银粒子辅助刻蚀55-65
- 5.1 引言55
- 5.2 硅薄膜形貌55-57
- 5.3 单晶硅与硅薄膜刻蚀形貌比较57-58
- 5.4 刻蚀时间对刻蚀形貌和反射率的影响58-61
- 5.5 刻蚀浓度对刻蚀形貌和反射率的影响61-64
- 5.6 本章小结64-65
- 结论65-67
- 参考文献67-71
- 在学期间研究成果71-73
- 致谢73-74
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