【摘要】：文章介绍利用脉冲激光沉积技术在单晶(100)Si衬底上生长出高质量的Fe3O4择优取向(111)薄膜,并对其侧向光伏特性作了详细研究,尤其是侧向光伏电压的位置关系及其与薄膜厚度、激光的功率的关系.实验结果表明,Fe3O4(20nm)-Si结构的侧向光伏电压值最大,其位置灵敏度高达26.32mV·mm-1,而且出现垂直位移的情况下,其位置灵敏度在减小,对应着非线性度也增大;Fe3O4薄膜厚度的增大不利于提高其位置灵敏度,但激光功率的增大有助于增大其位置灵敏度.
【作者单位】：
哈尔滨工业大学物理系;
【关键词】： FeO 侧向光伏 半导体
【基金】：教育部高等学校大学物理课程教学指导委员会2014高等学校教学研究项目(DWJZW201402db) 黑龙江高等学校教改工程项目(JG2014010706)
【分类号】：O484
【正文快照】：
【关键词】： FeO 侧向光伏 半导体
【基金】：教育部高等学校大学物理课程教学指导委员会2014高等学校教学研究项目(DWJZW201402db) 黑龙江高等学校教改工程项目(JG2014010706)
【分类号】：O484
【正文快照】：
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