【摘要】：GaInAsN能与GaAs、Ge等重要衬底晶格匹配,并同时满足三结或四结太阳能电池的带隙要求,因而备受瞩目。但目前制备高质量的GaInAsN材料仍十分困难,主要原因在于N在GaInAs中的固溶度特别低,难以实现均匀并入,由此产生的N缺陷很大程度上降低了该材料体系的光电性能。总结了近年来GaInAsN薄膜材料应用于太阳能电池的研究进展,介绍了GaInAsN材料体系的研究历程和基本物理特性,分析了GaInAsN材料体系存在的关键问题,讨论了目前优化GaInAsN薄膜质量和太阳能电池性能的方法。在此基础之上,对GaInAsN光伏材料的研究发展趋势做了展望。
【作者单位】：
中国科学院兰州化学物理研究所清洁能源化学与材料实验室;中国科学院大学;丹阳市维嘉电子元件厂;兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室;
【关键词】： GaInAsN 外延生长 太阳能电池
【基金】：国家自然科学基金(61376066;11475078) 中国科学院“百人计划”人才项目
【分类号】：TB383.2;TM914.4
【正文快照】：
【关键词】： GaInAsN 外延生长 太阳能电池
【基金】：国家自然科学基金(61376066;11475078) 中国科学院“百人计划”人才项目
【分类号】：TB383.2;TM914.4
【正文快照】：
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