【摘要】：根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理 ,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型 ,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果 .因此可以确认 ,硅单晶表面态对真空敏感的实质原因就是由于构成大气主要成份的氮气和氧气两种元素的电子亲和势相对于硅元素 ,具有明显不同的且符号相反的差值 ,导致吸附于硅表面的 N2 、O2 分子与硅表面态之间不同转移方向的电荷转移差值可以随真空度变化所引起的
【作者单位】：
厦门大学物理系 厦门大学物理系 厦门大学物理系 厦门大学物理系
【关键词】： 半导体表面态 真空敏感机理 光伏方法
【分类号】：TP212
【正文快照】：
【关键词】： 半导体表面态 真空敏感机理 光伏方法
【分类号】：TP212
【正文快照】：
1 引言目前 ,在众多的真空应用领域中所采用的真空测量设备多为电热偶规、离子规及其相应的配置仪器 ,既庞杂耗电 ,又价格昂贵 ,还必须提供预备真空才能开始检测 .即使是近年来出现的 Pirani真空微传感器 [1] ,因其真空敏感机理是在一定电压下 ,通过特定的半导体热敏电阻器
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