【摘要】：根据金属 -碲镉汞接触的基本电流 -电压关系 ,深入讨论了金属 -半导体 (MS)接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件 I- V特性的影响 ,并对实际器件的测量数据进行了分析比较 .
【作者单位】：
中国科学院上海技术物理研究所!传感技术国家重点实验室 上海 2000083 中国科学院上海技术物理研究所!传感技术国家重点实验室 上海 2000083 中国科学院上海技术物理研究所!传感技术国家重点实验室 上海 2000083
【关键词】： I-V特性 金属-碲镉汞接触 碲镉汞光伏器件
【基金】：国家自然科学基金 (编号 1980 5 0 14 ) 苏州大学江苏省薄膜材料 重点实验室开放课题部分资助项目&&
【分类号】：TN214
【正文快照】：
【关键词】： I-V特性 金属-碲镉汞接触 碲镉汞光伏器件
【基金】：国家自然科学基金 (编号 1980 5 0 14 ) 苏州大学江苏省薄膜材料 重点实验室开放课题部分资助项目&&
【分类号】：TN214
【正文快照】：
引言红外技术的发展对红外焦平面器件提出很大需求 ,碲镉汞红外焦平面器件的研制成为目前红外器件研究的一个重要方向 [1] .红外焦平面器件是以光伏型 p- n结为探测单元 ,入射到探测元上的光激发出光生载流子 ,光生载流子通过扩散、漂移 ,被 p- n结分离 ,从而产生光电压 .信
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