【摘要】：提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p 的新方法 .此法基于变温光伏测量 ,采用 (111) p型硅单晶 (NA =1.5× 10 16cm-3 )为实验样品 .由于表面势垒高度ΦBP =0 .5 75 6 V,表面复合速度 sn =4 .8× 10 3 cm . s-1以及表面态密度 Ds=6 .7× 10 11cm -2 . e V-1可由光伏方法测算 ,则表面态俘获截面σon ≈ 5× 10 -13 cm2 与σ-p ≈ 2× 10 -12 cm2 可通过应用Shockley- Read体复合理论于表面而被估算 .此结果与其它方法得到的有关报导的结果相一致
【作者单位】：
厦门大学物理学系 厦门大学物理学系
【关键词】： 表面态俘获截面 光伏方法 硅单晶 表面复合速度 表面态密度 光伏测量 表面势垒 福建厦门 非破坏性 新方法
【分类号】：O472.1
【正文快照】：
【关键词】： 表面态俘获截面 光伏方法 硅单晶 表面复合速度 表面态密度 光伏测量 表面势垒 福建厦门 非破坏性 新方法
【分类号】：O472.1
【正文快照】：
半导体单晶的表面态俘获截面 ,表面态密度及表面势垒高度都是影响器件 ,特别是表面器件电学性能的重要参数 .测量表面态密度与表面势垒高度的传统方法有 [1 ] 电流 -电压法、电容 -电压法以及光电方法等 .然而 ,这些方法均需制备具有金属 -半导体 ( MS)接触的 Schottky势垒结
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