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SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化

关注热度:79   来源:新能源学术论文  作者:吴孙桃 谢廷贵 王延华 陈议明 沈华
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【摘要】:制备了二氧化锡/ 多孔硅/ 硅(SnO2/PS/Si) 异质结构样品,在不同温度下,分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合X 光电子能谱(XPS) 测量结果,分析了光生电压谱变化的机理
【作者单位】: 厦门大学物理系!厦门361005 厦门大学物理系!厦门361005 厦门大学物理系!厦门361005 厦门大学物理系!厦门361005 厦门大学物理系!厦门361005
【关键词】半导体材料 双异质结 多孔硅 吸附气体 光生电压谱 X光电子能谱
【基金】:福建省自然科学基金
【分类号】:O471.4
【正文快照】:
1 引言多孔硅(PS)是近年来发展起来的一种新型半导体材料,它的光致发光、电致发光引起人们极大的研究兴趣[1,2],它的气敏特性及与硅形成的异质结的光伏特性也颇受重视[3~5]。SnO2是最常用的气敏材料,它与PS/Si结合形成SnO2/PS/Si双异


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关键词: 半导体材料

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