【关键词】: 应变量子阱 光伏谱 InGaAs/GaAs 单量子阱 峰展宽 激子线宽 非均匀展宽 锁相放大器 阱宽 低维半导体
【基金】:国家自然科学基金,福建省自然科学基金
【分类号】:O471.3,TN304.260.1
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分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响 刘宝利,王炳燊,徐仲英
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极性晶体中慢激子极化电势的性质 顾世洧
极性晶体中激子的性质 梁希侠,顾世洧
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La_(0.5)Ca_(0.5)Mn_xTi_(1-x)O_3材料的介电性能研究 周雪梅;杜丕一;翁文剑;韩高荣;沈鸽;
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单层有机发光二极管中复合区域和外量子效率的研究 赵楚军;李宏建;崔昊扬;代国章;黄永辉;谢强;彭景翠;
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