【摘要】：本文介绍了离子束溅射,石墨靶,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺。对薄膜沉积过程作了讨论,采用 XPS技术对薄膜成份、原子间和掺杂原子的键以及结合能作了研究,在( 111)单晶硅片上沉积掺氮碳薄膜,构成C/Si异质结,在100mw/cm~2光照下,开路电压达200mv。
【作者单位】：上海交通大学 上海交通大学 上海交通大学 上海交通大学 上海交通大学 上海交通大学
【关键词】：掺氮碳薄膜 XPS C/Si异质结
【分类号】：TM914
【正文快照】：
【关键词】：掺氮碳薄膜 XPS C/Si异质结
【分类号】：TM914
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0 弓言 随着人类事业的不断发展,能源显得尤为重要,近来,污染成为不可忽视的灾难时,寻找无污染的绿色能源己经迫在眉捷,也是个很有价值的研究课题,太阳能的利用,太阳电池,这一绿色能源的开发将有十分广阔的应用前景。 在这方面,人们通过努力己成功地制成了单晶硅、多晶硅的太
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