【摘要】：正ROHM近日于世界率先开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
【关键词】：
芯片尺寸;太阳能发电;导通电阻;逆变器;平面型;ROHM;SiC-MOSFET;备用电源;功率损耗;市场调查公司;
【分类号】：F416.63;TN386
【正文快照】：
【分类号】：F416.63;TN386
【正文快照】：
ROHM近日于世界率先开发出采用沟槽结构的Si C-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型Si C-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。另外,此次开发的S
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