【摘要】：通过对InGaN三元合金的生长方式做对比,发现在相同条件下,因常规生长过程中反应室In的浓度更高,生长出的InGaN中In组分更高。但是由于预反应的原因晶体质量较差,而脉冲生长由于源的分时输运,大幅减小了预反应的发生,提高了晶体质量。但由于生长时反应室In原子浓度变小,In的组分会降低,也会减小In滴的析出。
【作者单位】：
西安电子科技大学技术物理学院;
【关键词】： InGaN 脉冲生长 太阳能电池 MOCVD
【分类号】：TN304.055;TM914.4
【正文快照】：
【关键词】： InGaN 脉冲生长 太阳能电池 MOCVD
【分类号】：TN304.055;TM914.4
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作为III-V族化合物半导体太阳电池材料中的新成员,InGaN材料具有在禁带宽度0.7～3.4 eV范围内连续可调,几乎覆盖整个太阳光谱等一系列优点[1],引起业内广泛关注。用于太阳能电池的InGaN材料,要求质量好,而且In的组分可变,太阳能可见光部分的波长在380～780 nm,而且蓝绿光占的
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