【专家解说】：硅本身没有毒和放射性。
但是加工过程使用很多有毒物质和强电磁辐射的机器。
沉积法制备光伏级多晶硅薄膜。一般以高纯硅烷或三氯硅烷为气源，采用化学沉积、物理沉积和液向外延法。沉积出的薄膜以非晶、微晶、多晶形式存在。但是非晶硅薄膜太阳能电池存在光致衰退现象，所以该方法研究的一个方面就是通过改变沉积条件或对非晶硅进行再结晶制备多晶硅薄膜。上述方法中，物理气相沉积沉积因存在“空洞”和悬挂键密度过高等问题而不能满足满足太阳能电池材料的要求。据报道，日本德山曹达公司建设了一座化学气相沉积光伏级多晶硅薄膜实验厂，年产量200吨。这些方法工业化生产的主要问题在于沉积速度和晶化率；能耗并不低于硅烷法。
(4) 电化学沉积非晶硅薄膜或粉末。这种方法由莫斯科工程大学研制，主要步骤为采用自蔓延高温合成方法获得可溶性硅化合物，之后利用膜分离工艺和超高频电解技术获得5个9以上的非晶硅薄膜或粉末。该技术的思路来源于超高频电解技术提取铀。
