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申请号： CN200910236574.8
申请日： 2009.10.26
公开(公告)号： CN101700871A
公开(公告)日： 2010.05.05
申请(专利权)人： 中国科学技术大学
分类号： B82B3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
优先权：
摘要：本发明公开一种铜铟硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后，利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上至下部分去除模板，露出纳米线阵列，该阵列可用于制备具有光电转换性能的异质结太阳能电池。
申请号： CN201010211713.4
申请日： 2010.06.21
公开(公告)号： CN102054899A
公开(公告)日： 2011.05.11
申请(专利权)人： 中国科学技术大学
分类号： H01L31/18(2006.01)I
优先权：
摘要：本
发明公开了一种制备CuInSe2薄膜的方法。该方法，包括如下步骤：1)将铜盐和铟盐溶于有机溶剂中后，加入硝酸水溶液混匀，再加入乙醇胺进行反应，至
反应体系的pH值为6时反应完毕，密封保温后得到前驱体溶胶；2)将所述前驱体溶胶成膜，干燥后在氢气气氛中进行还原，所述还原反应完毕冷却至室温后再与硒粉进行硒化反应，反应完毕冷却至室温后得到所述CuInSe2薄膜。该方法简单可行，成本低，所得薄膜质量高，是一种应用于大规模低成本的铜铟硒薄膜太阳能电池有效方法。
申请号： CN200910236576.7
申请日： 2009.10.26
公开(公告)号： CN101700872A
公开(公告)日： 2010.05.05
申请(专利权)人： 中国科学技术大学
分类号： B82B3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
优先权：
摘要：本发明公开一种铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后，利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟镓硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上至下部分去除模板，露出纳米线阵列，该阵列可用于与N型窗口层及金属电极组成具有光电转换性能的异质结。该铜铟镓硒纳米线阵列适用于高效率、低成本太阳能电池的制备。