· 全新Endura® Volta™系统独特的钴制程可减少互连的瓶颈，助力摩尔定律的延续· 钴制程两项突破性互连应用支持下一代高性能、低能耗芯片· 工业界首次应用选择性化学气相沉积（CVD）金属制程，展示了应用材料公司在精密材料工程中的领导地位2014年5月13日，加州圣克拉拉——应用材料公司推出Applied Endura® Volta™ CVD Cobalt 系统，这是现今唯一一款在逻辑芯片铜互连工艺中能够通过化学气相沉积实现钴薄膜的系统。钴薄膜在铜工艺有两种应用，平整衬垫（Liner）与选择性覆盖层（Capping Layer），将铜互连的可靠性提高了一个数量级。这一应用是15年来铜互连技术材料方面最显著改变。应用材料公司执行副总裁兼半导体事业部总经理Randhir Thakur博士指出：“对于器件生产商来说，芯片中连接着上亿个晶体管线路，连线的性能与可靠性是极其重要的。随着摩尔定律的推进，线路尺寸越来越小，减少影响器件工作的空隙与防止电迁移失效就显得更加必要”。基于应用材料公司业界领先的精密材料工程技术所建立的Endura Volta 系统，可通过提供以CVD为基础的平整衬垫与选择性覆盖层，克服了良率极限，帮助我们的客户将铜互连技术推进到28纳米及以下。基于Endura Volta CVD系统的钴工艺包括两个主要的工艺步骤。第一步是沉积一层平整的薄钴衬垫膜，相对于典型的铜互连工艺，钴的应用可为有限的互连区域填充铜提供更大的空间。这一步骤通过在同一平台，超高真空下整合预清洗（Pre-clean）/ 阻挡层（, PVD Barrier）/ 钴衬垫层（CVD Liner）/ 铜种子层（Cu Seed）制程，以改进器件的性能与良率。第二个步骤在铜化学机械研磨（Cu CMP）之后，沉积一层选择性CVD 钴覆盖膜，改善接触界面，进而提高器件的可靠性，可达到80倍。应用材料公司副总裁兼金属沉积产品事业部总经理Sundar Ramamurthy博士指出：“应用材料公司独特的CVD 钴制程是一种基于材料创新的解决方案。在近十年的开发中取得的这些材料与制程的创新，正在被我们的客户接受并用于制造高性能移动与服务器芯片。关于应用材料公司应用材料公司（纳斯达克：AMAT）是一家全球领先的高科技企业。应用材料公司的创新设备、服务和软件被广泛应用于先进半导体芯片、平板显示器和太阳能光伏产品制造产业。我们的技术使智能手机、平板电视和太阳能面板等创新产品以更普及、更具价格优势的方式惠及全球商界和普通消费者。欲了解更多信息，请访问：www.appliedmaterials.com。
