【摘要】：文中报导了用分子束外廷工艺在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长了较高质量的中、长波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为ｘ＝０．３３０和０．２２６的两种材料，７７Ｋ时载流子浓度和迁移率分别为ｐ＝６．７×１０１５ｃｍ－３、ｕｐ＝２６０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１和４．４５×１０１５ｃｍ－３、４１０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１。研制了平面型中、长波线列光伏探测器，其典型的探测器Ｄ分别为５．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１和２．６８×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（１８０°视场下），其中６４元线列中波探测器与ＣＭＯＳ电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。
【作者单位】：
华北光电研究所
【关键词】： 分子束外延 碲镉汞／砷化镓外延膜 光伏探测器
【分类号】：TN304.230.54
【正文快照】：
【关键词】： 分子束外延 碲镉汞／砷化镓外延膜 光伏探测器
【分类号】：TN304.230.54
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分子束外延ＨｇＣｄＴｅ／ＧａＡｓ的生长和光伏探测器的研制陈世达，周荷英，何先忠，林立，徐定瑞，支淑英（华北光电研究所北京１０００１５）文摘：文中报导了用分子束外廷工艺在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长了较高质量的中、长波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生长后的材料
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