目前，国内外半导体材料主要有Si（硅）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAS）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等。以Si为代表的传统半导体功率电子器件的发展已经接近材料的极限，在摩尔定律的规律下已经走过了50多年，不能满足器件应用不断发展的要求，寻找新的半导体材料替代硅已经成了近些年半导体发展的方向之一。而有着更高禁带宽度的第三代宽禁带半导体材料开始逐渐走向研究与应用，最为前沿且成熟的技术就是SiC与GaN。
SiC肖特基二极管已经有10年以上历史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出现，GaN功率器件更是刚刚才在市场上出现。因此，相比而言，GaN要实现产业化还需要十几年时间，甚至更长时间，而SiC实现产业化近在咫尺。
相对于Si而言，第三代半导体材料SiC与CaN的优点更明显，主要优点如下：
（1）从上表格可以看出，SiC与CaN带隙都大于3.0eV,是Si的3倍左右。SiC与CaN器件禁带宽度大于Si，大大降低了器件的泄漏电流，使其具有抗辐照的特性。
（2）SiC与CaN的工作温度要大于Si，理论上SiC工作温度可达到600℃，在高温场合的优势明显。
（3）从表格可以看出，绝缘击穿场强度大，SiC击穿场强度达到2MV/cm及以上，CaN击穿场强度更高，为3.3MV/cm，是Si的十倍。这样大大提高了功率器件的耐压容量、工作频率及电流密度，同时也大大降低了器件的导通损耗。
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