一道工序，凭什么比整条产线管得还严？

EXPORT CONTROL · EDGE PASSIVATION

清单里这一条只有三行字一道叫边缘钝化的工序，后面跟着两个必须同时满足的条件——边长 182 到 230 毫米，硅片厚度不超过 140 微米。

同一份清单里，TOPCon、XBC、HJT 的整条产线制备技术也在。但它们挂在限制出口那一档，而且每一条后面都拖着一个产能门槛。只有这道工序，门槛只有尺寸和厚度，落地却在禁止出口。

一道工序被单独提到禁止级，整条线的制备工艺反倒留在限制级。这个反差，才是值得问一句"凭什么"的地方——而且答案不在那两个数字上。

边缘 · 01

先把边上的事说清楚

这里有两种边。一种是硅片本来就有的边，一种是切出来的新面。这两种伤经常被放在一起讲，其实不是一个东西。

先说本来就有的那条边。TOPCon 电池的背面，是一层很薄的隧穿氧化层加一层掺杂多晶硅，也就是常说的 poly。这层 poly 不是印上去的，是整面沉积出来的，沉积时气体会绕到硅片侧面、绕到边缘的背面，行业里叫绕镀。

绕镀本身不算毛病。麻烦在于，电池正面是 P 区，背面这层 poly 是 n 型重掺杂，两边本来必须隔开。隔开靠的是去绕镀——背面 poly 沉积完之后，用湿法刻蚀把绕到正面和边缘的那一圈去掉，只在背面留住。

问题就出在这一圈上。湿法刻蚀靠药液，浓度、温度、时间、片子在槽里的姿态，任何一个飘一点，边上那圈就可能留下来。留下来，正面和背面之间就有了一条不该有的通路。

这条通路的第一后果在电池端并联电阻往下掉，填充因子做不上去，效率跟着受影响。

第二后果要晚一步才显现。边缘漏电流的电池，反向特性会变差——反向偏压下漏电流偏大。装到组件上以后，一旦某个环节出现遮挡或失配，这片电池就会被串里的其他电池反向偏置，漏电流沿边缘集中，局部发热。热斑测试筛的就是这类东西。

但这话说完要补一句热斑从来不是单一原因造成的。生产工艺只是一头，组件设计、焊接、封装、现场遮挡都占份额。边缘这条通路是风险的来源之一，不是唯一来源。

再说切出来的新面。多分片的好处不在这里重复，真正要紧的是代价每切一刀，就多出两块需要处理的断面，而且这块断面跟硅片原始边完全不是一回事。

拿激光划片来说，切开的地方会出现熔融重铸区、V 型烧蚀沟，还有再凝固的小颗粒，扫描电镜下面看得很清楚。正常硅片边缘是光滑均匀的，切开的边缘是坑坑洼洼的，每一处坑都是一个复合中心。

这条边的账可以粗略量化——不是用周长，用新增切割边的长度。一块 182 毫米的整片，切一刀变二分片，多出 2 条切割边，一共 364 毫米要处理；切到四分片——注意工业上的四分片是平行于主栅切三刀成四条，不是切个十字——切割边变成 6 条，1092 毫米。分片数翻了一倍，要处理的切割边长度翻了三倍。

图 1分片数翻一倍，要处理的边翻三倍（以 182mm 整片计，示意）

边缘 · 02

切断通路和修补损伤，是两件事

边缘处理要解决两个不同的问题。一个是把正背面之间不该连通的电学通路切断，靠隔离；另一个是把切割面上的复合损失压下来，靠钝化。这两件事目标不同，可以分开做，也可以一起做，不是二选一。前面说的去绕镀属于前者，下面说的补膜属于后者。

隔离这一档，是在边上开一道。可以用激光开膜，也可以用湿法刻蚀，两者在不同流程里可以是独立环节，也可以组合使用——没有一套固定走法。

这条路的好处是制程友好，不往电池上多加一层膜，跟现有产线能接上。代价是激光本身也是把双刃刀刻得浅，没断干净；刻得深，伤到基体，边缘复合反而更重。这道工序的窗口，是靠精度换出来的。

钝化是另一条思路，边上不去掉，而是补一层膜，把切割面的悬挂键修掉。

边缘 · 03

一组值得细拆的数据

丹麦技术大学和奥胡斯大学的团队做过一件事在激光划切的 TOPCon 电池上，用一种叫直接原子层处理的方式——可以理解成原子层沉积的"局部喷墨"版本，带着微型喷嘴，只往需要处理的地方送气——只在切割边缘沉积了约 50 纳米厚、230 到 240 微米宽的二氧化钛，沿横截面往下包住约 10 微米，刚好盖住 PN 结区域。

结果怎么算，值得拆一下。样品钝化前的少子寿命是 724 微秒。沉积完 TiO，涨到 823——这一步自己贡献了 99 微秒。再在 180℃ 退火 10 分钟，涨到 873，这一步再补 50 微秒。两步加起来，相对钝化前是 +149 微秒，隐含开路电压 +8.6 毫伏。

149 微秒这笔账，六成多是沉积那层膜挣来的，退火只补了三分之一。

把这个拆开是有用的单纯加一道热处理能不能解决？论文里恰好有对照——只退火不做沉积的样品，同样条件下寿命只涨了 36 微秒，把 150 到 215℃ 全走一遍也只涨约 60 微秒。效应确实来自那层局部的膜，不是热处理顺手把损伤修复了。

还有一组数不能漏着不报隐含填充因子是往下走的，180℃ 那一步之后从 85.12% 落到 84.72%。不是所有参数都在改善。退火温度过了那个点反而退200℃ 寿命掉 73 微秒，215℃ 再掉到 789 微秒，论文的解释是 TiO 从非晶向结晶相转变，结晶后的膜钝化能力变弱。可用窗口只有几十度。

图 2149 微秒的增益分解与完整数据（据论文 Table 1 及 3.2/3.4 节）

最后三句话必须写在前面这批样品没有做金属化；8.6 毫伏是隐含开路电压，不是效率也不是组件功率；它证明的是"局部钝化对切割损伤有效"这件事，离量产线上的净增益还有距离。

边缘 · 04

凭什么是这一条

先看这两个数。182 到 230 毫米，覆盖当下主流的 182、183、210 系列整片尺寸——上限 230 其实比今天任何量产尺寸都大，是留给还没上市的片型的。140 微米这条厚度线，ITRPV 第 17 版路线图给的是 2026 年 TOPCon 硅片 130 微米、HJT 120 微米；CPIA 口径是 TOPCon 平均 130 微米、HJT 110 微米、xBC 135 微米。

这两个数画的不是一个小范围，是当下产业的主战场。

但这两个数也不是边缘钝化的独门标签。回看同一份附件TOPCon 与 XBC 的整体制备技术写着同一组 182–230 毫米、≤140 微米；HJT 那条甚至更严，要求能加工 110 微米及以下的硅片。它们是这一批电池环节技术的共同底座。

那差别在哪。TOPCon、XBC、HJT 的整线制备技术挂在限制出口，而且每一条后面都拖着一个产能门槛——LPCVD、PECVD 要达到 6000 片/小时，HJT 要在 G12 上做到 14000 半片/小时，单晶炉炉腔内径 1600 毫米起。只有边缘钝化，门槛只有尺寸和厚度，落地位置却是禁止出口。

一项工序被单独提到禁止级，而整条产线的制备工艺留在限制级、还带着产能门槛。

我从条目结构读出的解释是这样差别不在它有多难，在它有多"整"。它够具体、够单点，设备形态又高度集中——一台设备就能把整套能力带走，最容易顺着整线交付一次性转出去。以上是我做出的分析判断，不是官方对政策目的的表述。

图 3同一组尺寸门槛，两种落地位置（据公告附件 1 原文整理）

还有一处口径差异值得一提。技术条目里写的是"可用于整片或半片、多分片太阳能硅片"，但同一份附件末尾的设备清单里，EPD（边缘钝化设备）却被限定为"应用于半片或多分片工艺"。同一份文件的两处口径不一致，恰好把前面那两件事分开了整片侧要解决的是绕镀和隔离，分片侧要解决的是切出来的新面。

另外，条目写的是技术"及其设备制造技术"——管的不只是工艺，也包括了造这台设备的能力。

边缘 · 05

还有哪些东西跟着一起列了

附件明确写了技术管理范围包含承载相关技术的关键和核心设备，并具体点名了 17 类。这 17 类不是只在电池段——从多晶硅环节的冷氢化流化床、硅烷流化床、还原炉，到硅片环节的单晶炉、截断开方机加设备、切片设备，再到电池环节的 EPD、PECVD/LPCVD、ALD、高温硼扩散炉、铜电镀、PVD、狭缝涂布，从硅料到电池，三个环节串在同一条清单上。

图 4跟着列管的 17 类关键和核心设备（按环节分组，据附件 1 末尾注）

这里有个边界要讲清楚这些设备不是按名字一律管住。附件用的限定是"承载相关技术"，还要对上具体控制要点。没列明的其他光伏设备，原则上不适用这次公告。

顺带说一句，产品不在管理范围内。公告明确区分了技术与利用相关技术制造的产品，电池片、组件本身不会因为用了拟列管的技术就自动成为受管制对象。

但也不能反过来理解成"海外订单照做就行"。企业向境外转让相关技术、授权境外使用，或者开展涉及技术出口的产线交付、安装调试和后续升级，仍需按适用规定判断要不要登记、要不要许可。

还有个时间层次不能混。拟列入禁止出口，是征求意见稿里的分类；出口前临时登记，是自公告发布之日起已经在执行的措施；正式目录实施后的管理要求，要等最终目录。三个不是一回事。

边缘 · 06

同一天的另一份文件，管的是另一头

同一天那份《光伏制造行业规范条件（2026 年本）》征求意见稿，数字更具体。现有产线，N 型 TOPCon、HJT、xBC 电池的平均效率分别不低于 25.3%、25.3%、25.6%；新建和改扩建，分别是 26.2%、26.0%、26.6%。组件端也有对应门槛，新建分别是 24.2%、24.0%、24.4%。

另外新增了一条可靠性指标晶硅组件耦合环境应力衰减率不高于 8.6%。以前没有这项，意思是以后不只看初始值，也看你在制造环节付出了多少代价。

两份文件放在一起看，是两种不同的政策工具一份通过拟议的技术出口分类和现阶段的临时登记措施，管理特定技术的跨境转移；另一份通过制造规范，提高新建和改扩建产能的效率要求。

一个管能力往哪走，一个管门槛抬到哪。作用不同，指向是同一个效率这件事，开始跟"用什么条件做出来的"绑在一起算了。

边缘 · 07

如果你的线上正在纠结要不要上这道工序

不建议先算一个笼统的"边缘占比"。分片数、边长、厚度乘起来，得不出有物理意义的结论。更实用的顺序是这样。

第一步，先把"漏有多大"量出来。别急着谈钝化，先看隔离剩了多少问题。可观测量有三类反向偏置下的漏电流（12V 是常用取值）、EL 或 PL 上边缘暗区的宽度、以及并联电阻分布的尾部——看尾部不是看均值，不良率藏在尾巴里。

"每切一刀代价多大"这件事，公开数据很少。能查到的一个量级参考，来自 TCL 中环名下的一份已授权专利（CN118431340B，2025-08-19 授权）其背景技术自述，TOPCon 采用激光无损切割时"漏电流损伤达 0.02A~0.04A/刀"。这是专利申请人的自述口径，未标注测试条件，不能当实测值用，但至少给了个数量级，你可以拿自己线上的数据去对。

那份专利给的解法也很有产线味切完之后，先把电池条叠起来加压，再统一做原子层沉积，用物理方式遮住不需要镀的面，最后退火热修复。思路实在，能不能用到具体产线，还要看片型、沉积均匀性、粘片风险和设备节拍。

第二步，判断隔离达没达标。用电池 IV、反向漏电流、并联电阻这几项去看。如果隔离本身就没做干净，先上钝化是事倍功半——底下还在漏，上面补一层膜，漏的还在。

第三步，才比净收益。在相同片型、相同分片方式、相同测试条件下，把"只做隔离"和"隔离加钝化"放在一起比，而且要把节拍损失、良率变化、耗材和设备投资一起算进去。

这里有个容易被低估的点从二分片走到四分片，要处理的切割边长度是 3 倍（364 毫米对 1092 毫米），不是线性增加。新增设备的吞吐和节拍，得按这个倍数给。

有一点可以确定这事儿不是"别人上了我也上"。同一台设备，在二分片线上是加分项，在四分片线上可能只是把损失补回来一部分。

四分片之后，隔离和钝化的联合窗口在哪，公开数据还不够。如果你们线上已经在做四分片，我想知道三件事

- 隔离之后还剩多少边缘损失？

- 钝化带来的净增益，能不能覆盖节拍和良率的成本？

- 你们是先隔离再钝化，还是别的组合？

把硅片边缘这几毫米的事想明白，可能比追下一轮效率纪录更磨人，但它就在每天的良率报表里。

SOURCES · 信息来源

1. 商务部 科技部公告 2026 年第 48 号及附件 1 原文（2026-10-16）；商务部新闻发言人答记者问

2. 工业和信息化部《光伏制造行业规范条件（2026 年本）》征求意见稿（2026-10-16，反馈截止 2026-11-15）

3. Sah D. et al., Solar Energy Materials and Solar Cells, 2026, 299, 114178（含 Table 1 与对照组数据）

4. ITRPV 第 17 版路线图；CPIA 硅片厚度细分口径

5. CN118431340B《一种减小 TOPCon 太阳能电池切割后漏电流的方法》（TCL 中环，2025-08-19 授权）6. 中信证券研报（2026-10-20），用于交叉核对门槛数值

免责声明本文所述出口管制内容均为"拟"列入，现行有效文件为征求意见稿（截止 2026-11-15）；临时登记为已生效的过渡措施，不等于正式目录。具体技术是否落入管控范围，请以商务部最终目录、附件原文及主管部门答复为准，本文不替代任何合规判断。文中 149μs / 8.6mV 为少子寿命与隐含开路电压口径，样品未做金属化；0.02A~0.04A/刀为专利自述口径，非第三方实测。

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